Orem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Aliquam vel vestibulum mi. Nam elit felis, commodo vitae pellentesque in, elementum ac ipsum. Sed pharetra lacinia sem. Morbi varius efficitur libero eget posuere. Aenean tristique scelerisque aliquam. Proin semper et augue vitae dignissim. Integer eget lacinia neque. Donec velit est, sagittis ac bibendum non, sollicitudin eget elit. Proin eu felis eu nisi laoreet condimentum quis id tellus. Curabitur molestie cursus lectus. Maecenas ornare fermentum leo ac rhoncus. Sed scelerisque hendrerit feugiat.
Nullam feugiat quis turpis bibendum dignissim. Pellentesque enim eros, maximus eu massa et, suscipit lobortis ipsum. Nulla non quam arcu. Sed imperdiet, purus in faucibus varius, risus dolor porta enim, eu iaculis eros velit at leo. Donec gravida turpis eget velit pharetra semper. Proin vestibulum vitae ante vitae ornare. Aenean finibus eget est a sagittis.
1.3 2″ Si-Doped GaN Film
| Item | PAM-FS-GaN50-N+ |
| Conduction Type | N type/Si doped |
| Size | 2″(50.8)+/-1mm |
| Thickness | 400+/-50 |
| Orientation | C-axis(0001)+/-0.5° |
| Primary Flat Location | (10-10)+/-0.5° |
| Primary Flat Length | 16+/-1mm |
| Secondary Flat Location | (1-210)+/-3° |
| Secondary Flat Length | 8+/-1mm |
| Resistivity(300K) | <0.05Ω·cm |
| Dislocation Density | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=15um |
| BOW | <=+/-20um |
| Surface Finish | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
| — | Back Surface:1.Fine ground |
| — | 2.Polished. |
| Usable Area | ≥ 90 % |
